שלום שלו האם תוכל לציין היכן ראית כדי שנוכל להתייחס ולהסביר את התשובה
בוודאי הנה:
יש את שני החומרים:
clf שטמפ’ הרתיחה שלו היא 100.1-
ו cf4 שטמפ’ הרתיחה היא 127.8-
ולclf ענן גדול יותר של אלקטרונים ואתם כתבתם שהסיבה היא קוטביות
בוודאי הנה:
יש את שני החומרים:
clf שטמפ’ הרתיחה שלו היא 100.1-
ו cf4 שטמפ’ הרתיחה היא 127.8-
ולclf ענן גדול יותר של אלקטרונים ואתם כתבתם שהסיבה היא קוטביות
הי שלו
יש לבדוק בסדר שכתבת. ראשית את גודל ענן האלקטרונים, לאחר מכן קוטביות המולקולה ורק אחר כך את שטח הפנים. לא תמיד הגורם הראשון הוא הקבוע ולכן רצוי לבדוק את כל הגורמים.
בתרגילים שיש באינטרקציית ודו אז יש את הגורם של ענן האלקטרונים שמשפיע אבל כתבתם שמה שמשפיע זה לא זה מדוע?
בוודאי הנה:
יש את שני החומרים:
clf שטמפ’ הרתיחה שלו היא 100.1-
ו cf4 שטמפ’ הרתיחה היא 127.8-
ולclf ענן גדול יותר של אלקטרונים ואתם כתבתם שהסיבה היא קוטביות
שלום לפי השאלה לחומר ClF טמפרטורת רתיחה גבוהה יותר מאשר לחומר CF4. לחומר ClF ענן אלקטרונים של 26 אלקטרונים ( 17+9) ואילו ל- CF4 ענן אלקטרונים של 42 אלקטרונים ( 9*4 + 6 ) למרות שלחומר CF4 ענן אלקטרונים גדול יותר טמפרטורת הרתיחה של החומר ClF גבוהה יותר ולכן ההבדל נובע מגורם אחר. הגורם הוא קוטביות המולקולה למולקולות CF4 מבנה של טטראדר והן לא קוטביות ואילו למולקולות ClF מבנה קווי והן קוטביות. ולכן אינטראקציות הון-דר-ולס בין המולקולות שלהם חזקות יותר ונדרשת אנרגיה רבה יותר לניתוק אינטראקציות אלה בין המולקולות ולכן טמפרטורת הרתיחה של החומר ClF גבוהה יותר.
גודל ענן אלקטרונים